第二部门：用汉语拼音字母透露表现半导体器件的质料和极性。透露表现二极管时：A-N型锗质料、B-P型锗质料、C-N型硅质料、D-P型硅质料。透露表现三极管时：A-PNP型锗质料、B-NPN型锗质料、C-PNP型硅质料、D-NPN型硅质料。

　　第三部门：用汉语拼音字母透露表现半导体器件的内型。P-通俗管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-地道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（F《3rate，Pc《1W）、G-高频小功率管（f》3rate，Pc《1W）、D-低频大功率管（f《3rate，Pc》1W）、A-高频大功率管（f》3rate，Pc》1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效力器件、B-雪崩管、J-阶跃回复管华体会官网首页、CS-场效力管、BT-半导体特别器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

　　第一部门：用数字透露表现器件有用电极数量或范例。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的拉拢管、1-二极管、2三极或拥有两个pn结的其余器件、3-拥有四个有用电极或拥有三个pn结的其余器件、┄┄依此类推。 第二部门：日本协会JEIA备案标记。S-透露表现已在日本电子产业协会JEIA备案挂号的半导体分立器件。

　　第三部门：用字母透露表现器件利用质料极性和范例。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P掌握极可控硅、G-N掌握极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效力管、K-N沟道场效力管、M-双向可控硅。

　　第四部门：用数字透露表现在日本电子产业协会JEIA挂号的挨次号。两位以上的整数-从“11”开端，透露表现在日本电子产业协会JEIA挂号的挨次号；差别公司的机能沟通的器件能够利用统一挨次号；数字越大，越是11月中旬产物。 第五部门：用字母透露表现统一型号的改良型产物标记。A、B、C、D、E、F透露表现这一器件是原形号产物的改良产物。

　　第一部门：用标记透露表现器件用处的范例。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。

　　第二部门：用数字透露表现pn结数量。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

　　第三部门：美国电子产业协会（EIA）备案标记。N-该器件已在美国电子产业协会（EIA）备案挂号。

　　第五部门：用字母透露表现器件分档。A、B、C、D、┄┄-统一型号器件的差别档别。如：JAN2N3251A透露表现PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA备案标记、3251-EIA挂号挨次号、A⑵N3251A档。

　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国度和匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国度，多半采取国际认可电子结合会半导体分立器件型号定名方式。这类定名方式由四个根本部门构成，各部门的标记及事理以下：

　　第一部门：用字母透露表现器件利用的质料。A-器件利用质料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件利用质料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件利用质料的Eg》1.3eV如砷化镓、D-器件利用质料的Eg《0.6eV如锑化铟、E-器件利用复合质料及光电池利用的质料。

　　第二部门：用字母透露表现器件的范例及首要特点。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-地道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其余器件、H-磁敏二极管、K-怒放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-关闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管华体会、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

　　第三部门：用数字或字母加数字透露表现登标帜。三位数字-代表通用半导体器件的挂号序号、一个字母加二位数字-透露表现公用半导体器件的挂号序号。

　　第四部门：用字母对统一范例号器件停止分档。A、B、C、D、E┄┄-透露表现统一型号的器件按某一参数停止分档的标记。

　　⑴稳压二极管型号的后缀。厥后缀的第一部门是一个字母，透露表现不变电压值的允许缺点规模，字母A、B、C、D、E划分透露表现允许缺点为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；厥后缀第二部门是数字，透露表现标称不变电压的整数数值；后缀的第三部门是字母V，代表少量点，字母V以后的数字为稳压管标称不变电压的少量值。

　　⑶晶闸管型号后缀：晶闸管型号的后缀也是数字，凡是标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的阿谁电压值。